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The Future of Memristors: Materials Engineering and Neural Networks

记忆电阻器 冯·诺依曼建筑 人工神经网络 神经形态工程学 人工智能 晶体管 CMOS芯片 计算机体系结构 计算机科学 电子工程 材料科学 电气工程 工程类 电压 操作系统
作者
Kaixuan Sun,Jingsheng Chen,Xiaobing Yan
出处
期刊:Advanced Functional Materials [Wiley]
卷期号:31 (8) 被引量:280
标识
DOI:10.1002/adfm.202006773
摘要

Abstract From Deep Blue to AlphaGo, artificial intelligence and machine learning are booming, and neural networks have become the hot research direction. However, due to the size limit of complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) transistors, von Neumann‐based computing systems are facing multiple challenges (such as memory walls). As the number of transistors required by the neural network increases, the development of neural networks based on the von Neumann computer is limited by volume and energy consumption. As the fourth basic circuit element, memristor shines in the field of neuromorphic computing. The new computer architecture based on memristor is widely considered as a substitute for the von Neumann architecture and has great potential to deal with the neural network and big data era challenge. This article reviews existing materials and structures of memristors, neurophysiological simulations based on memristors, and applications of memristor‐based neural networks. The feasibility and advancement of implementing neural networks using memristors are discussed, the difficulties that need to be overcome at this stage are put forward, and their development prospects and challenges faced are also discussed.
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