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In Situ Growth Mechanism of CsPbX3 (X = Cl, Br, and I) Quantum Dots in an Amorphous Oxide Matrix

卤化物 量子点 材料科学 无定形固体 钙钛矿(结构) 氧化物 晶体生长 纳米技术 结晶学 化学工程 化学 无机化学 冶金 工程类
作者
Ruilin Zheng,Jumpei Ueda,Kenji Shinozaki,Setsuhisa Tanabe
出处
期刊:Chemistry of Materials [American Chemical Society]
卷期号:34 (4): 1599-1610 被引量:14
标识
DOI:10.1021/acs.chemmater.1c03522
摘要

Oxide glass matrix embedding is an effective way to improve the stability of halide quantum dots (QDs). However, the in situ growth mechanism of halide perovskite QDs in an amorphous matrix has not been clarified. In this work, the growth process of halide QDs in an amorphous oxide matrix was successfully elucidated via in situ spectroscopy, analytical electron microscopy, and the X-ray scattering/diffraction technique. The results showed that the in situ growth mechanism of the halide QDs in the amorphous oxide matrix was different from that of traditional glass-ceramics, which was more like a halide nanoglass-based phase transition process. Typically, a complex multiphase (halide nanoglass, CsPb2X5, and CsPbX3) transition existed in the amorphous oxide matrix, and the obtained CsPbX3 QD glass showed a halide multiphase coexisting microstructure. More importantly, the crystallization process from the halide nanoglass to QDs can be induced by known ways, including mechanical force, hydration, and heat treatment. The clarified in situ growth mechanism may pave the way toward the development of high-efficiency halide perovskite QD-embedded amorphous materials and optoelectronic devices.
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