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Tunable coupling scheme for implementing two-qubit gates on fluxonium qubits

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作者
Ilya N. Moskalenko,Ilya S. Besedin,Ilya A. Simakov,Alexey V. Ustinov
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:119 (19) 被引量:18
标识
DOI:10.1063/5.0064800
摘要

A superconducting fluxonium circuit is an RF-superconducting quantum interference device-type flux qubit that uses a large inductance built from an array of Josephson junctions or a high kinetic inductance material. This inductance suppresses charge sensitivity exponentially and flux sensitivity quadratically. In contrast to the transmon qubit, the anharmonicity of fluxonium can be large and positive, allowing for better separation between the low energy qubit manifold of the circuit and higher-lying excited states. Here, we propose a tunable coupling scheme for implementing two-qubit gates on fixed-frequency fluxonium qubits, biased at half flux quantum. In this system, both qubits and couplers are coupled capacitively and implemented as fluxonium circuits with an additional harmonic mode. We investigate the performance of the scheme by simulating a universal two-qubit fSim gate. In the proposed approach, we rely on a planar on-chip architecture for the whole device. Our design is compatible with existing hardware for transmon-based devices with the additional advantage of lower qubit frequency facilitating high-precision gating.
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