2D analogue of band-bending in metal–semiconductor junctions: interior to edge-states of single-layered transition metal dichalcogenides

材料科学 凝聚态物理 带隙 异质结 电子能带结构 光电子学 半导体 金属 过渡金属 单层 GSM演进的增强数据速率 基质(水族馆)
作者
Arnab Banerjee,Hrishikesh Bhunia,Amlan J. Pal
出处
期刊:Journal of Physics D [IOP Publishing]
卷期号:54 (10): 105106-
标识
DOI:10.1088/1361-6463/abc9e7
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