摘要
The thermal conductivities as a function of temperature for silicon, germanium, gallium arsenide, indium phosphide, indium arsenide, indium antimonide, gallium phosphide, aluminum antimonide and gallium antimonide are presented. Also included are the thermal conductivities of the mixed III–V compounds: indium arsenide-phosphide, gallium-indium arsenide and gallium arsenide-phosphide. These data are derived from the publications listed in the bibliography and represent the author's selection of the “most probable” values. A brief phenomenological discussion of the mechanisms involved in thermal conduction is presented. On présente les conductivités thermiques en fonction de la température des matériaux suivants: silicium, germanium, arséniure de gallium, phosphure d'indium, arséniure d'indium, antimoniure d'indium, phosphure de gallium, antimoniure d'aluminium et antimoniure de gallium. On inclut aussi les conductivités thermiques des composés mixtes III–V: arséniure-phosphure d'indium, arséniure de gallium-indium et arséniure-phosphure de gallium. Ces données sont dérivées d'articles publiés qui sont inscrits dans la bibliographie et représentent le choix des valeurs “les plus probables” d'après l'auteur. Une brève discussion des phénomènes du mécanisme compris dans la conduction thermique est présenté. Die Wärmeleitfähigkeit als Funktion der Temperatur wird für Silizium, Germanium, Galliumarsenid, Indiumphosphid, Indiumarsenid, Indiumantimonid, Galliumphosphid, Aluminiumantimonid und Galliumantimonid angegeben. Auch die Wärmeleitfähigkeiten der gemischten III–V-Verbindungen Indium-Arsenidphosphid, Gallium-Indiumarsenid und Gallium-Arsenidphosphid sind eingeschlossen. Die Daten sind den im Literaturverzeichnis zusammengestellten Veröffentlichungen entnommen und stellen die Auswahl jener Werte dar, welche dem Autor am wahrscheinlichsten erscheinen. Eine kurze phänomenologische Diskussion der Mechanismen, die für den Wärmetransport verantwortlich sind, wird gegeben.