Second-order topological insulators in Kekulé-patterned hexagonal biphenylene networks

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作者
Ningjing Yang,Hai Yang,Zhigao Huang,Jian‐Min Zhang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:126 (3)
标识
DOI:10.1063/5.0239997
摘要

Biphenylene network, a two-dimensional material, has recently been extensively studied, owing to its potential applications. Here, we introduce an experimentally synthesized configuration of hexagonal biphenylene network (h-BPN) as a second-order topological insulator (SOTI). We begin by discussing the higher-order topological origin of h-BPN, which is an extended model of the Kekulé lattice characterized by a multi-node π-conjugation. Through first-principles calculations and tight-binding model, we reveal SOTI in h-BPN, characterized by non-zero fractional corner charges. Furthermore, we show that by varying the number of biphenylene units, h-BPN exhibits adjustable second-order topological phases with alternating parity. Specifically, odd biphenylene indices in the h-BPN system correspond to a SOTI, while even indices result in a trivial insulator. We propose that the h-BPN evolves from the Kekulé lattice. These materials will have important applications in two-dimension devices as higher-order topological materials.

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