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Contact Resistance Engineering in WS2-Based FET with MoS2 Under-Contact Interlayer: A Statistical Approach

材料科学 接触电阻 纳米技术 工程物理 工程类 图层(电子)
作者
Małgorzata Giza,Michał Świniarski,Arkadiusz P. Gertych,Karolina Czerniak-Łosiewicz,Maciej Rogala,P.J. Kowalczyk,Mariusz Zdrojek
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:16 (36): 48556-48564
标识
DOI:10.1021/acsami.4c09688
摘要

One of the primary factors hindering the development of 2D material-based devices is the difficulty of overcoming fabrication processes, which pose a challenge in achieving low-resistance contacts. Widely used metal deposition methods lead to unfavorable Fermi level pinning effect (FLP), which prevents control over the Schottky barrier height at the metal/2D material junction. We propose to harness the FLP effect to lower contact resistance in field-effect transistors (FETs) by using an additional 2D interlayer at the conducting channel and metallic contact interface (under-contact interlayer). To do so, we developed a new approach using the gold-assisted transfer method, which enables the fabrication of heterostructures consisting of TMDs monolayers with complex shapes, prepatterned using e-beam lithography, with lateral dimensions even down to 100 nm. We designed and demonstrated tungsten disulfide (WS
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