Stable and efficient pure blue quantum-dot LEDs enabled by inserting an anti-oxidation layer

光电子学 量子点 发光二极管 材料科学 亮度 二极管 图层(电子) 量子效率 限制 纳米技术 光学 物理 机械工程 工程类
作者
Wenjing Zhang,Bo Li,Chun Chang,Fei Chen,Qin Zhang,Qingli Lin,Lei Wang,Jinhang Yan,Fangfang Wang,Yihua Chong,Zuliang Du,Fengjia Fan,Huaibin Shen
出处
期刊:Nature Communications [Nature Portfolio]
卷期号:15 (1) 被引量:64
标识
DOI:10.1038/s41467-024-44894-z
摘要

Abstract The efficiency and stability of red and green quantum-dot light-emitting diodes have already met the requirements for commercialization in displays. However, the poor stability of the blue ones, particularly pure blue color, is hindering the commercialization of full-color quantum-dot light-emitting diode technology. Severe hole accumulation at the blue quantum-dot/hole-transport layer interface makes the hole-transport layer prone to oxidation, limiting the device operational lifetime. Here, we propose inserting an anti-oxidation layer (poly(p-phenylene benzobisoxazole)) between this interface to take in some holes from the hole-transport layer, which mitigates the oxidation-induced device degradation, enabling a T 50 (time for the luminance decreasing by 50%) of more than 41,000 h with an initial brightness of 100 cd m −2 in pure blue devices. Meanwhile, the inserted transition layer facilitates hole injection and helps reduce electron leakage, leading to a peak external quantum efficiency of 23%.
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