Synthetic antiferromagnetic layer based on Pt/Ru/Pt spacer layer with 1.05 nm interlayer exchange oscillation period for spin–orbit torque devices

材料科学 振荡(细胞信号) 凝聚态物理 图层(电子) 反铁磁性 铁磁性 自旋(空气动力学) 联轴节(管道) 自旋电子学 纳米技术 化学 复合材料 物理 生物化学 热力学
作者
Y. Saito,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:119 (14) 被引量:14
标识
DOI:10.1063/5.0063317
摘要

We investigated interlayer exchange coupling through Pt/Ru/Pt and Pt/Ru multilayers as candidates of nonmagnetic spacer layers in the synthetic antiferromagnetic (AF) layer, which is available for studying AF spintronics using current-induced spin–orbit torque (SOT) switching originating from the spin Hall effect. The AF interlayer exchange coupling with the oscillation period of Λ2 ∼ 1.05 nm was observed even for the face-centered cubic (fcc) Pt (tPt)/hexagonal Ru/fcc Pt (tPt) nonmagnetic spacer layer structures in the wide range of both Pt and total nonmagnetic spacer layer thicknesses (0 ≤ tPt ≤ 0.8 nm, 1.0 ≤ ttotal ≤ 2.3 nm), which would be useful for the systematic investigation of the SOT on the AF structure. Moreover, we observed the disappearance of the one oscillation period (Λ1 ∼ 1.65 nm) in the case of Pt(111)/Ru(0001) and Pt(111)/Ru(0001)/Pt(111) spacer layers, whereas the existence of two oscillation periods of AF interlayer exchange coupling (Λ1 ∼ 1.65 nm and Λ2 ∼ 1.05 nm) in the case of Ru spacer layer was observed. We expect that the Pt/Ru/Pt spacer layer with the oscillation period of Λ2 ∼ 1.05 nm will pave a way to the AF spintronics based on the multilayer systems.

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