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作者
Ping Wu,Xue Ping Xu,Ilya Zwieback,John M. Hostetler
出处
期刊：Materials Science Forum
日期：2017-05-15
卷期号：897: 363-366
被引量：1
标识
DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.897.363
摘要
We investigated selective etching of SiC in molten KOH + NaOH + Na 2 O 2 mixtures in application to defect analysis. Etch rate was measured as a function of etchant composition, temperature and other process variables. Optimal etching conditions were established for reliable differentiation between TSDs, TEDs, BPDs and stacking faults (SF).
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