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作者
Xueping Li,Guang-Rui Jia,Juan Du,Xiaohui Song,Congxin Xia,Zhongming Wei,Jingbo Li
摘要
InSe/MoSe2(WSe2) vdWHs with type-II alignment, effectively tuned by E-field and vertical strain, are systematically discussed for future applications in optoelectronic devices.
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