半导体
材料科学
各向异性
碲
带隙
光电子学
电子迁移率
纳米技术
光学
冶金
物理
作者
Shiying Guo,Zhen Zhu,Xuemin Hu,Wenhan Zhou,Xiufeng Song,Shengli Zhang,Kan Zhang,Haibo Zeng
出处
期刊:Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2018-01-01
卷期号:10 (18): 8397-8403
被引量:54
摘要
Ultrathin TeO2exhibits a wide direct band-gap and high hole mobility for both power electronics and short-wavelength optoelectronic applications.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI