Ultrathin Two‐Dimensional Multinary Layered Metal Chalcogenide Nanomaterials

硫系化合物 纳米材料 材料科学 纳米技术 三元运算 表征(材料科学) 金属 光电子学 冶金 计算机科学 程序设计语言
作者
Chaoliang Tan,Zhuangchai Lai,Hua Zhang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:29 (37) 被引量:253
标识
DOI:10.1002/adma.201701392
摘要

Ultrathin two‐dimensional (2D) layered transition metal dichalcogenides (TMDs), such as MoS 2 , WS 2 , TiS 2 , TaS 2 , ReS 2 , MoSe 2 and WSe 2 , have attracted considerable attention over the past six years owing to their unique properties and great potential in a wide range of applications. Aiming to achieve tunable properties and optimal application performances, great effort is devoted to the exploration of 2D multinary layered metal chalcogenide nanomaterials, which include ternary metal chalcogenides with well‐defined crystal structures, alloyed TMDs, heteroatom‐doped TMDs and 2D metal chalcogenide heteronanostructures. These novel 2D multinary layered metal chalcogenide nanomaterials exhibit some unique properties compared to 2D binary TMD counterparts, thus holding great promise in various potential applications including electronics/optoelectronics, catalysis, sensors, biomedicine, and energy storage and conversion with enhanced performances. This article focuses on the state‐of‐art progress on the preparation, characterization and applications of ultrathin 2D multinary layered metal chalcogenide nanomaterials.
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