Recent progress in strong spin-orbit coupling van der Waals materials and their heterostructures for spintronic applications

自旋电子学 范德瓦尔斯力 异质结 小型化 纳米技术 铁磁性 材料科学 工程物理 反铁磁性 凝聚态物理 半导体 联轴节(管道) 物理 光电子学 量子力学 分子 冶金
作者
Shuyuan Shi,Xinran Wang,Yaru Zhao,Weisheng Zhao
出处
期刊:Materials today electronics 卷期号:6: 100060-100060 被引量:10
标识
DOI:10.1016/j.mtelec.2023.100060
摘要

The growing need for miniaturization in semiconductor devices has led to an increasing interest in layered van der Waals (vdW) materials, which offer intriguing physics, atomically thin and smooth layers, excellent mechanical properties and board application prospects for developing future high-performance devices. This review provides a comprehensive discussion of recent progress of vdW materials and their heterostructures widely studied in spintronics. Firstly, the background of emerging vdW materials in spintronic research is presented. Next, the research progress of the vdW materials with strong spin-orbit coupling (SOC) is discussed, including topological insulators, transition-metal dichalcogenides, vdW ferromagnetic materials, and vdW antiferromagnetic materials. For each material type, the spin-related phenomena, recent development of device applications and material growth methods are discussed in detail. Finally, the review concludes by discussing the future challenges and research prospects of emerging large-SOC vdW materials and their heterostructures, with the goal of inspiring deeper investigations and advancing spintronic device innovations.

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