Valley dependent tunable Berry curvature related properties in heterojunction of graphene on WSe 2

Valleytronics公司 Berry连接和曲率 凝聚态物理 自旋电子学 异质结 石墨烯 塞曼效应 自旋轨道相互作用 材料科学 物理 磁化 铁磁性 纳米技术 量子力学 磁场 几何相位
作者
Tayyaba Aftab
出处
期刊:Physica Scripta [IOP Publishing]
卷期号:98 (11): 115909-115909
标识
DOI:10.1088/1402-4896/acfc83
摘要

Abstract Heterojunction of graphene on WSe 2 has strong spin–orbit coupling (SOC) in terms of valley Zeeman λ vz and Rashba λ r contributions. The interplay of SOC terms and lattice potential term are shown to tune the behavior of the heterojunction in terms of energy dispersion. The valley and spin degree of freedom are useful for the tuning and use of the heterojunction as a potential candidate in valleytronics and spintronics. We have shown Berry curvature, magnetic moment, orbital magnetization and Nernst coefficient to be valley, spin and SOC dependent. All these factors are shown to influence the behavior of the graphene on WSe 2 . We are able to tune and vary the behavior according to the needs by the interplay of these factors.
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