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作者
Jicai Zhang,Chunlei Fang,Qian Zhang,Zhijie Shen,Jianli Ji,Shuxin Tan,Yong Lu,Ting Liu,Jicai Zhang
出处
期刊:CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
被引量:1
摘要
Smooth and crack-free (0002) AlN thick films (∼30 μm) were epitaxially grown on trench-patterned AlN/sapphire templates through epitaxial lateral overgrowth (ELO) using hydride vapor phase epitaxy.
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