Influence of pressure on AlN thick films prepared by epitaxial lateral overgrowth through hydride vapor phase epitaxy

外延 氢化物 气相 材料科学 相(物质) 光电子学 复合材料 冶金 化学 图层(电子) 金属 有机化学 热力学 物理
作者
Jicai Zhang,Chunlei Fang,Qian Zhang,Zhijie Shen,Jianli Ji,Shuxin Tan,Yong Lu,Ting Liu,Jicai Zhang
出处
期刊:CrystEngComm [The Royal Society of Chemistry]
被引量:1
标识
DOI:10.1039/d3ce01300f
摘要

Smooth and crack-free (0002) AlN thick films (∼30 μm) were epitaxially grown on trench-patterned AlN/sapphire templates through epitaxial lateral overgrowth (ELO) using hydride vapor phase epitaxy.
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