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作者
Sizhao Huang,Xia Xiang,Xia Xiang,Xiaotao Zu,Hongxiang Deng
标识
DOI:10.1021/acsami.4c10136
摘要
In this paper, a new strategy to obtain a transition-metal oxide (TMO) thermoelectric monolayer is demonstrated. We show that the TMO thermoelectric monolayer can be achieved by the replacement of a transition-metal atom with a cluster, which is composed of heavy transition atoms with abundant valence electrons. Specifically, the transition-metal atom in the XO
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