High-Performance p-GaN/AlGaN/GaN HEMT-Based Ultraviolet Phototransistors With fW-Level Weak Light Detection Capacity

高电子迁移率晶体管 光电子学 宽禁带半导体 材料科学 氮化镓 紫外线 晶体管 电气工程 图层(电子) 电压 纳米技术 工程类
作者
Haiping Wang,Haifan You,Yifu Wang,Yiwang Wang,Hui Guo,Jiandong Ye,Hai Lu,Rong Zhang,Youdou Zheng,Dunjun Chen
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/led.2024.3439518
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