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Impact of the TiN electrode deposition on the HfO2 band gap for advanced MOSFET gate stacks

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作者
C. Gaumer,E. Martínez,S. Lhostis,M.-J. Guittet,M. Gros-Jean,Jean‐Paul Barnes,C. Licitra,N. Rochat,N. Barrett,F. Bertin,Amal Chabli
出处
期刊：Microelectronic Engineering [Elsevier]
日期：2010-09-01 卷期号：88 (1): 72-75 被引量：16
标识
DOI：10.1016/j.mee.2010.08.023
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