制作
材料科学
光电子学
GSM演进的增强数据速率
MOSFET
工程物理
频道(广播)
电子工程
电气工程
电压
晶体管
工程类
电信
医学
病理
替代医学
作者
Woong Je Sung,B. Jayant Baliga
出处
期刊:Materials Science Forum
日期:2017-05-15
卷期号:897: 517-520
被引量:4
标识
DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.897.517
摘要
This paper presents design, fabrication, and electrical performance of 8A, 1400V 4H-SiC ACCUFETs. It is intended to provide detail discussions on channel design, edge termination technique, and electrical characteristics of high current, 1.2kV rated 4H-SiC ACCUFETs.
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