Defect Tolerance and Intolerance in Metal‐Halide Perovskites

钝化 材料科学 双极扩散 卤化物 载流子 金属 光电子学 合理化(经济学) 纳米技术 无机化学 化学 冶金 图层(电子) 哲学 物理 认识论 等离子体 量子力学
作者
Guan‐Woo Kim,Annamaria Petrozza
出处
期刊:Advanced Energy Materials [Wiley]
卷期号:10 (37) 被引量:126
标识
DOI:10.1002/aenm.202001959
摘要

Abstract Metal‐halide perovskites present exceptional optoelectronic properties such as large light absorption coefficients, long free charge carrier diffusion lengths with ambipolar character. They are apparently protected by what is often described as a “defect tolerance” which has allowed to achieve, relatively quickly, highly performing devices. Nevertheless, there also exists a “defect intolerance” when it is dealt with stability. Further rationalization of the passivation strategies, especially for complex chemical systems, will be beneficial to achieve a full materials library which can be the platform for an efficient and reliable technology.
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