Orbital Shift‐Induced Boundary Obstructed Topological Materials with a Large Energy Gap

拓扑绝缘体 表面状态 边界(拓扑) 对称(几何) 物理 凝聚态物理 Wannier函数 带隙 曲面(拓扑) 拓扑(电路) 几何学 数学 数学分析 组合数学
作者
Ning Mao,Runhan Li,Ying Dai,Baibiao Huang,Binghai Yan,Chengwang Niu
出处
期刊:Advanced Science [Wiley]
卷期号:9 (27) 被引量:10
标识
DOI:10.1002/advs.202202564
摘要

Boundary obstructed topological phases caused by Wannier orbital shift between ordinary atomic sites are proposed, which, however, cannot be indicated by symmetry eigenvalues at high symmetry momenta (symmetry indicators) in bulk. On the open boundary, Wannier charge centers can shift to different atoms from those in bulk, leading to in-gap surface states, higher-order hinge states or corner states. To demonstrate such orbital shift-induced boundary obstructed topological insulators, eight material candidates are predicted, all of which are overlooked in the present topological databases. Metallic surface states, hinge states, or corner states cover the large bulk energy gap (e.g., more than 1 eV in TlGaTe2 ) at related boundary, which are ready for experimental detection. Additionally, these materials are also fragile topological insulators with hourglass-like surface states.

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