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作者
Songyang Lv,Shouzhi Wang,Tailin Wang,Lei Liu,Jiaoxian Yu,Tianran Dong,Guodong Wang,Zhongxin Wang,Chang Liang,Lili Li,Xiangang Xu,Lei Zhang
摘要
Vacancy-modified few-layered GaN crystal as an advanced electrode for IL-based SC devices, which is applied to high-temperature energy storage field for the first time. And the device exhibits superior energy storage capability at 150 °C.
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(2025-6-4)
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