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作者
Guofeng Li,Wei Hang,Jie Chen,Rong Wang,Xiaodong Pi,Deren Yang,Julong Yuan
出处
期刊:CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
卷期号:26 (6): 875-880
摘要
This study focuses on the generation and transformation of defects associated with subsurface damages (SSDs) in seed crystals during the physical vapor transport (PVT) growth of 4H-SiC crystals.
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