Effect of subsurface damages in seed crystals on the crystal quality of 4H-SiC single crystals grown by the PVT technology

Crystal(编程语言) 晶种 材料科学 质量(理念) 晶体生长 损害赔偿 结晶学 转化(遗传学) 单晶 化学工程 化学 计算机科学 物理 工程类 基因 生物化学 程序设计语言 政治学 法学 量子力学
作者
Guofeng Li,Wei Hang,Hongyu Chen,Rong Wang,Xiaodong Pi,Deren Yang,Julong Yuan
出处
期刊:CrystEngComm [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:26 (6): 875-880 被引量:2
标识
DOI:10.1039/d3ce00984j
摘要

This study focuses on the generation and transformation of defects associated with subsurface damages (SSDs) in seed crystals during the physical vapor transport (PVT) growth of 4H-SiC crystals.
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