‘Giant’ CdSe/CdS Core/Shell Nanocrystal Quantum Dots As Efficient Electroluminescent Materials: Strong Influence of Shell Thickness on Light-Emitting Diode Performance

纳米晶 材料科学 量子点 光电子学 电致发光 发光二极管 单层 二极管 氧化铟锡 壳体(结构) 量子效率 阳极 纳米技术 图层(电子) 复合材料 电极 化学 物理化学
作者
Bhola N. Pal,Yagnaseni Ghosh,Sergio Brovelli,Rawiwan Laocharoensuk,Victor I. Klimov,Jennifer A. Hollingsworth,Han Htoon
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:12 (1): 331-336 被引量:390
标识
DOI:10.1021/nl203620f
摘要

We use a simple device architecture based on a poly(3,4-ethylendioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)-coated indium tin oxide anode and a LiF/Al cathode to assess the effects of shell thickness on the properties of light-emitting diodes (LEDs) comprising CdSe/CdS core/shell nanocrystal quantum dots (NQDs) as the emitting layer. Specifically, we are interested in determining whether LEDs based on thick-shell nanocrystals, so-called "giant" NQDs, afford enhanced performance compared to their counterparts incorporating thin-shell systems. We observe significant improvements in device performance as a function of increasing shell thickness. While the turn-on voltage remains approximately constant for all shell thicknesses (from 4 to 16 CdS monolayers), external quantum efficiency and maximum luminance are found to be about one order of magnitude higher for thicker shell nanocrystals (≥13 CdS monolayers) compared to thinner shell structures (<9 CdS monolayers). The thickest-shell nanocrystals (16 monolayers of CdS) afforded an external quantum efficiency and luminance of 0.17% and 2000 Cd/m2, respectively, with a remarkably low turn-on voltage of ∼3.0 V.
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