已入深夜,您辛苦了!由于当前在线用户较少,发布求助请尽量完整的填写文献信息,科研通机器人24小时在线,伴您度过漫漫科研夜!祝你早点完成任务,早点休息,好梦!

Spatially controlled doping of two-dimensional SnS2 through intercalation for electronics

材料科学 兴奋剂 半导体 异质结 插层(化学) 石墨烯 光电子学 薄板电阻 薄膜 集成电路 纳米技术 制作 双层 平版印刷术 数码产品 图层(电子) 电气工程 化学 无机化学 病理 工程类 替代医学 生物化学 医学
作者
Yongji Gong,Hongtao Yuan,Chun-Lan Wu,Peizhe Tang,Shize Yang,Ankun Yang,Guodong Li,Bofei Liu,Jorik van de Groep,Mark L. Brongersma,Matthew F. Chisholm,Shengbai Zhang,Wu Zhou,Yi Cui
出处
期刊:Nature Nanotechnology [Springer Nature]
卷期号:13 (4): 294-299 被引量:295
标识
DOI:10.1038/s41565-018-0069-3
摘要

Doped semiconductors are the most important building elements for modern electronic devices 1 . In silicon-based integrated circuits, facile and controllable fabrication and integration of these materials can be realized without introducing a high-resistance interface2,3. Besides, the emergence of two-dimensional (2D) materials enables the realization of atomically thin integrated circuits4-9. However, the 2D nature of these materials precludes the use of traditional ion implantation techniques for carrier doping and further hinders device development 10 . Here, we demonstrate a solvent-based intercalation method to achieve p-type, n-type and degenerately doped semiconductors in the same parent material at the atomically thin limit. In contrast to naturally grown n-type S-vacancy SnS2, Cu intercalated bilayer SnS2 obtained by this technique displays a hole field-effect mobility of ~40 cm2 V-1 s-1, and the obtained Co-SnS2 exhibits a metal-like behaviour with sheet resistance comparable to that of few-layer graphene 5 . Combining this intercalation technique with lithography, an atomically seamless p-n-metal junction could be further realized with precise size and spatial control, which makes in-plane heterostructures practically applicable for integrated devices and other 2D materials. Therefore, the presented intercalation method can open a new avenue connecting the previously disparate worlds of integrated circuits and atomically thin materials.
最长约 10秒,即可获得该文献文件

科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI
更新
大幅提高文件上传限制,最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台,具备全网最快的应助速度,最高的求助完成率。 对每一个文献求助,科研通都将尽心尽力,给求助人一个满意的交代。
实时播报
du完成签到,获得积分20
2秒前
樱子完成签到 ,获得积分10
3秒前
圆润的糯米糍完成签到 ,获得积分10
4秒前
4秒前
du发布了新的文献求助10
6秒前
搜集达人应助迷路的曼梅采纳,获得10
6秒前
7秒前
科目三三次郎完成签到 ,获得积分10
8秒前
orixero应助若有光采纳,获得10
9秒前
10秒前
123发布了新的文献求助10
11秒前
乐乐应助Ljh采纳,获得10
12秒前
xh完成签到,获得积分10
15秒前
Lucky完成签到,获得积分10
16秒前
21秒前
26秒前
umil发布了新的文献求助10
26秒前
30秒前
Ljh发布了新的文献求助10
31秒前
方赫然应助辛勤的沉鱼采纳,获得10
35秒前
小毛逗发布了新的文献求助10
42秒前
43秒前
牛牛发布了新的文献求助10
43秒前
据说我特别爱学习完成签到,获得积分10
47秒前
47秒前
cctv18应助活力的采枫采纳,获得10
47秒前
L21完成签到,获得积分10
47秒前
婳嬨发布了新的文献求助10
48秒前
51秒前
Will发布了新的文献求助10
51秒前
outman发布了新的文献求助200
54秒前
wuludie应助酷炫笑翠采纳,获得10
54秒前
55秒前
fly发布了新的文献求助10
55秒前
59秒前
泥巴发布了新的文献求助10
1分钟前
彭于晏应助大力日记本采纳,获得10
1分钟前
酷炫笑翠完成签到,获得积分20
1分钟前
1分钟前
哈密完成签到 ,获得积分10
1分钟前
高分求助中
The late Devonian Standard Conodont Zonation 2000
Nickel superalloy market size, share, growth, trends, and forecast 2023-2030 2000
The Lali Section: An Excellent Reference Section for Upper - Devonian in South China 1500
Smart but Scattered: The Revolutionary Executive Skills Approach to Helping Kids Reach Their Potential (第二版) 1000
Very-high-order BVD Schemes Using β-variable THINC Method 830
Mantiden: Faszinierende Lauerjäger Faszinierende Lauerjäger 800
PraxisRatgeber: Mantiden: Faszinierende Lauerjäger 800
热门求助领域 (近24小时)
化学 医学 生物 材料科学 工程类 有机化学 生物化学 物理 内科学 纳米技术 计算机科学 化学工程 复合材料 基因 遗传学 催化作用 物理化学 免疫学 量子力学 细胞生物学
热门帖子
关注 科研通微信公众号,转发送积分 3248577
求助须知:如何正确求助?哪些是违规求助? 2892029
关于积分的说明 8269412
捐赠科研通 2560089
什么是DOI,文献DOI怎么找? 1388851
科研通“疑难数据库(出版商)”最低求助积分说明 650913
邀请新用户注册赠送积分活动 627798