Reconfigurable Inductorless Wideband CMOS LNA for Wireless Communications

CMOS芯片 宽带 线性 放大器 电气工程 带宽(计算) 计算机科学 电子工程 噪声系数 电信 工程类
作者
Marcelo de Souza,André Mariano,Thierry Taris
出处
期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems I-regular Papers [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:64 (3): 675-685 被引量:58
标识
DOI:10.1109/tcsi.2016.2618361
摘要

Future hyper-connected devices must support several communication standards, across various frequency bands, with a low-area, single-chip, radio frequency frontend. In this paper, we present a reconfigurable, inductorless, wide-band, low-noise amplifier (LNA) for multistandard applications. This LNA is based on a complementary current-reuse common source amplifier, combined with a low-current active feedback. A gyrator-C effect is used to achieve wideband input matching. High linearity is obtained through complementary derivative superposition and active shunt feedback. Implemented in 130-nm CMOS technology, the prototype exhibits a -3 dB bandwidth of 2.2 GHz. In high linearity mode, the LNA achieves a minimum NF of 2 dB, a voltage gain of 21.1 dB and an I I P 3 of +14.3 dBm, with 7 mW of power consumption. In low-power mode, it draws 1.5 mW, while providing a NF of 2.6 dB, a gain of 21 dB, and an I I P 3 of 4.7 dBm. The active die area is 0.0072 mm 2 .
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