A precision curvature-compensated CMOS bandgap reference

带隙基准 温度系数 CMOS芯片 电容器 曲率 电子线路 材料科学 修剪 温度测量 电子工程 光电子学 电气工程 电压基准 物理 计算机科学 工程类 电压 数学 几何学 跌落电压 操作系统 量子力学
作者
Bongsob Song,P.R. Gray
出处
期刊:IEEE Journal of Solid-state Circuits [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:18 (6): 634-643 被引量:309
标识
DOI:10.1109/jssc.1983.1052013
摘要

A precision curvature-compensated switched-capacitor bandgap reference is described which uses a standard digital CMOS process and achieves temperature stability significantly lower than has previously been reported for CMOS circuits. The theoretically achievable temperature coefficient approaches 10 ppm//spl deg/C over the commercial temperature range and uses a straightforward room temperature trim procedure. Experimental data from monolithic prototype samples are presented which are consistent with theoretical predictions. The experimental prototype circuit occupies 3500 mil/SUP 2/ and dissipates 12 mW with /spl plusmn/5 V power supplies. The proposed reference is believed to be suited for use in monolithic data acquisition systems with resolutions of 10 to 12 bits.

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