Temperature coefficient of resistivity of silicon and germanium near room temperature

Temperature coefficients for the resistivity of n- and p-type germanium and silicon in the neighborhood of room temperature have been determined over a wide range of resistivity. Linear temperature coefficients have been found for the extrinsic exhaustion region (<5 Ω-cm for germanium and <500 Ω-cm for silicon). The results are presented as plots of temperature coefficient against resistivity at 23°C. The plots may be used in connection with measurements of resistivity on extrinsic germanium and silicon doped with the usual shallow impurities such as boron, aluminum, gallium, phosphorus, arsenic, and antimony. Accurate linear coefficients cannot be found for specimens doped with deep-lying impurities in sufficient amounts to affect the carrier density nor for specimens with resistivity in the transition region between extrinsic and intrinsic conduction. Les coefficients de température de la résistivite du germanium et du silicium des types n et p dans les environs de la température ambiante ont été déterminés le long d'une gamme de résistivitéétendue. Les coefficients de températures linéaires ont été trouvés dans la région extrinsèque d' exhaustion (<5 Ω-cm pour le germanium et <5000 Ω-cm pour le silicium). Les résultats sont présentés en forme de courbes de coefficients de température en fonction de la résistivité à 23°C. Les courbes peuvent être employées en connexion aux mesures de la résistivité de germanium et silicium intrinsèque dopés d'impuretés peu profondes telles que le bore, l'aluminium, le gallium, le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. Des coefficients linéaires exacts ne peuvent être trouvés, pour les specimens dopés d'impuretes profondes, en nombre suffisant pour affecter la densité de porteur ou pour des spécimens dont la résistivité se situe dans la région entre la conduction intrinsèque et extrinsèque. Die Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstands von n- und p-Silizium und Germanium nahe Raumtemperatur wurden über einen grossen Widerstandsbereich bestimmt. Lineare Temperaturkoeffizienten ergeben sich für den Bereich der Störstellenerschöpfung (<2 Ω-cm für Germanium und <5000 Ω-cm für Silizium). Die Ergebnisse sind in Kurvenform dargestellt. Aufgetragen ist der Temperaturkoeffizient gegen den spezifischen Widerstand bei 23°C. Die Kurven können in Verbindung mit Widerstandsmessungen an störstellenleitendem Silizium und Germanium verwendet werden, wobei die üblichen Dotierungsstoffe wie Bor, Aluminium, Gallium, Phosphor, Arsen und Antimon herangezogen sind, welche niedrige Störstellenniveaus ergeben. Genau lineare Koeffizienten finden sich weder für Proben, welche tiefliegende Störstellen in genügenden Anzahl enthalten um die Trägerdichten zu beeinflussen, noch für Proben mit Widerständen im Übergangsbereich zwischen Störstellenleitung und Eigenleitung.