聚(二酮吡咯並[3,4-c]吡咯-噻吩並[3,2-b]噻吩)材料以液相製程製備可於空氣中穩定操作之P型有機場效電晶體

以液相製程製做有機場效電晶體的半導體層是近年來的趨勢，因為其製程輕便、耗能少、製程簡單。本論文將聚(二酮吡咯並[3,4-c]吡咯-噻吩並[3,2-b]噻吩)(PBDT-co-TT)以液相製程方式製備出可於空氣中穩定操作之P型有機場效電晶體。 本篇論文使用表面有300奈米厚的二氧化矽介電層矽晶片，元件結構是下閘極上接觸式。使用十八烷基三氯矽烷(Octadecyltrichlorosilane, ODTS)來修飾二氧化矽介電層。並在大氣環境下製作有機半導體層。最後以真空蒸鍍的方式來製作元件的導電極，並且測量。 在元件效能方面，棒塗法製程的元件在空氣環境下的載子遷移率達到2.27×10-1 cm2 V-1 s-1，模板印刷法則達到1.45×10-2 cm2 V-1 s-1。而旋轉塗佈法表現出了最好的元件效能，其載子遷移率達到9.33×10-1 cm2 V-1 s-1。配合原子力顯微鏡(AFM)和X-ray繞射儀(XRD)探討元件表面型態及分子堆疊情形，找出這三種方法效能差異。