Exfoliation mechanism of AlGaN-based thin films using heated-pressurized water

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作者
Ryoya Yamada,Eri Matsubara,Ryosuke Kondo,Toma Nishibayashi,Koichi Hattori,Yoshinori Imoto,Sho Iwayama,Tetsuya Takeuchi,Satoshi Kamiyama,Toru Maruyama,Hideto Miyake,Kosuke Sato
出处
期刊:Applied Physics Express [Institute of Physics]
卷期号:16 (10): 105504-105504 被引量:3
标识
DOI:10.35848/1882-0786/acfec9
摘要

Abstract This study investigated the crystallographic plane dependence of the reaction of AlN and AlGaN using heated-pressurized water under saturated vapor pressure. The results show that the reaction strongly depends on the crystallographic orientation plane, with no reaction in the + c- plane, the formation of an AlOOH-altered layer in the − c- plane, and etching in the a- and m- planes. These results suggest that the exfoliation mechanism of AlGaN grown on periodically formed AlN nanopillars on sapphire substrates using heated-pressurized water involves etching of a- and m -plane crystals, demonstrating that the proposed method is highly reproducible and versatile for large-diameter wafer exfoliation.
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