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Copper(i) sulfide: a two-dimensional semiconductor with superior oxidation resistance and high carrier mobility

半导体铜硫化物材料科学化学光电子学化学工程冶金工程类

作者

Yu Guo,Qisheng Wu,Yunhai Li,Ning Lü,Keke Mao,Yizhen Bai,Jijun Zhao,Jinlan Wang,Xiao Cheng Zeng

出处

期刊：Nanoscale horizons [Royal Society of Chemistry]
日期：2018-09-19 卷期号：4 (1): 223-230 被引量：60

链接

nih.govdoi.org

标识

DOI：10.1039/c8nh00216a

摘要

δ-Cu₂S sheets are energetically favorable, and exhibit superior oxidation resistance, suitable direct band gap, and ultrahigh carrier mobility.

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