Gate-Cut-Last in RMG to Enable Gate Extension Scaling and Parasitic Capacitance Reduction

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作者
Andrew Greene,Huimei Zhou,Ruilong Xie,Chanro Park,Laertis Economikos,V. Chan,Kerem Akarvardar,Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Rena M. Conti,Miaomiao Wang,M. Sankarapandian,J. Demarest,Juntao Li,Liying Jiang,Kai Zhao,Robert R. Robison,Takashi Ando,N. Cave,Andreas Knorr
出处
期刊:Symposium on VLSI Technology 卷期号:: T144-T145 被引量:5
标识
DOI:10.23919/vlsit.2019.8776493
摘要

In this paper, we present for the first time a "Gate-Cut-Last" integration scheme completed within the Replacement Metal Gate (RMG) module. This novel gate cut (CT) technique allows the scaling of gate extension length past the end fin which reduces parasitic capacitance, leakage and performance variation. In addition, we demonstrate that CT-in-RMG is a promising alternative integration process that can enable scaling for future logic technology nodes. Device, circuit and reliability results are shown to compare this novel CT-in-RMG process to the conventional gate cut method.
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