Influence of carbon on oxygen behavior in silicon

The influence of carbon on thermal donor generation and on oxygen precipitation is investigated for Czochralski silicon. The results confirm the fact that carbon inhibits thermal donor generation at 450°C and accelerates the rate of oxygen precipitation at higher temperature. New and very interesting results are found on the influence of carbon in the generation of thermal donors at 750°C. From the results it is deduced that the stable donor complexes generated at 750°C involve carbon and oxygen atoms. Nous avons étudié l'influence du carbone sur la génération de donneurs thermiques et sur la précipitation de l'oxygène dans le silicium Czochralski. Nos résultats confirment le fait que le carbone inhibe la génération de donneurs thermiques à 450°C et accélère la précipitation de l'oxygène à plus haute température. Des résultats nouveaux et intéressants ont été obtenus sur l'influence du carbone sur la génération des donneurs thermiques à 750°C. D'après ceux-ci, on peut penser que les complexes donneurs stables générés à 750°C contiennent à la fois des atomes de carbone et d'oxygène.