Frontiers of silicon-on-insulator

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作者
G. K. Celler,S. Cristoloveanu
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:93 (9): 4955-4978 被引量:656
标识
DOI:10.1063/1.1558223
摘要

Silicon-on-insulator (SOI) wafers are precisely engineered multilayer semiconductor/dielectric structures that provide new functionality for advanced Si devices. After more than three decades of materials research and device studies, SOI wafers have entered into the mainstream of semiconductor electronics. SOI technology offers significant advantages in design, fabrication, and performance of many semiconductor circuits. It also improves prospects for extending Si devices into the nanometer region (<10 nm channel length). In this article, we discuss methods of forming SOI wafers, their physical properties, and the latest improvements in controlling the structure parameters. We also describe devices that take advantage of SOI, and consider their electrical characteristics.
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