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Low-temperature stable ferroelectric–antiferroelectric transition for cryogenic energy storage application

反铁电性 铁电性 电容器 材料科学 相变 拉曼光谱 储能 转变温度 低温学 陶瓷 铁电陶瓷 凝聚态物理 光电子学 热力学 电压 物理 超导电性 光学 电气工程 复合材料 电介质 工程类 功率(物理)
作者
Bing Han,Jiake Xia,Zhengqian Fu,Tengfei Hu,Zhenqin Li,Fei Cao,Shiguang Yan,Xuefeng Chen,Genshui Wang,Fangfang Xu
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:124 (12) 被引量:1
标识
DOI:10.1063/5.0191645
摘要

The capacitors are in rising demand for cryogenic applications. As for now, it still remains an ongoing challenge for simultaneously achieving high energy storage density and cryogenic temperature stability. Herein, the strategy of stable backward phase transition was demonstrated in the antiferroelectric composition of (Pb0.9175La0.055)(Zr0.975Ti0.025)O3. As a result, we achieved high recoverable energy density about 10 J/cm3 with exceptional low-temperature stability from −160 to 25 °C. Multi-layer ceramic capacitors designed for pulse discharge applications also demonstrated high performance in cryogenic conditions, with the peak current fluctuations of less than 4%. Through in situ characterizations using x-ray diffraction, Raman spectra, and transmission electron microscopy, we discovered that the anisotropic structural evolution is responsible for a stable backward phase transition, providing the material with robust stability at cryogenic temperatures. These results offer a good paradigm for improving the temperature stability of antiferroelectric multi-layer capacitors to meet the rigorous demands of energy storage applications.

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