Nucleation preference and lateral growth of monolayer tin disulfide on graphene

材料科学 成核 石墨烯 单层 二硫键 二硫化钼 偏爱 化学工程 纳米技术 化学物理 冶金 有机化学 化学 生物化学 经济 工程类 微观经济学
作者
Gaoxiang Lin,Huimin Gao,Yimei Fang,Chenyi Huang,Junjie Huang,Jie Lu,Xinrui Cao,Yufeng Zhang,Xueao Zhang,Shunqing Wu,Weiwei Cai,Yinghui Zhou
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
标识
DOI:10.1039/d4tc03002h
摘要

Herein we investigate the nucleation and growth of SnS 2 on graphene, and further achieve a large-area SnS 2 /graphene hetero-bilayer.
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