Preparation, uniaxial negative thermal expansion and Raman study in semiconductor oxide Nb2WO8 ceramic

材料科学 负热膨胀 拉曼光谱 热膨胀 陶瓷 氧化物 半导体 复合材料 冶金 光电子学 光学 物理
作者
Qilong Gao,Yan Luo,Yongqiang Qiao,Juan Guo,Erjun Liang
出处
期刊:Ceramics International [Elsevier]
卷期号:48 (23): 34707-34712 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.ceramint.2022.08.059
摘要

Negative thermal expansion materials exhibit important promising to tailor thermal expansion due to their abnormal thermal shrinkage characteristics. Here, the Nb2WO8 ceramic has been synthesized, which exhibits axial negative thermal expansion (αa = −2.05 × 10−6 K−1) from 300 to 1000 K without water absorption or phase transformation. Along a axis, the one O atom is located between two identical Nb atoms and the Nb–O–Nb atomic linkages are formed, in which the Nb2–O2–Nb2 bond angle decreases upon heating, resulting in the negative thermal expansion of a axis. Although the b axis and c axis show positive thermal expansion, the low thermal expansion (αl = 2.30 × 10−6 K−1, 173–1073 K) occurs in unit cell volume due to the negative thermal expansion of a axis. The variable pressure Raman shows that the translational and rotational modes of the polyhedron play a key role in axial negative thermal expansion. This work shows potential application prospects of Nb2WO8 as a low thermal expansion semiconductor ceramic.

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