Optically and electrically invariant multi-color single InGaN/GaN nanowire light-emitting diodes on a silicon substrate under mechanical compression

材料科学 光电子学 发光二极管 二极管 纳米线 基质(水族馆) 海洋学 地质学
作者
Juntian Qu,Renjie Wang,Peng Pan,Linghao Du,Yu Sun,Xinyu Liu
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:15 (12): 5671-5678 被引量:1
标识
DOI:10.1039/d2nr04876k
摘要

Opto-electro-mechanical characterization of single InGaN/GaN nanowire light-emitting diodes (LEDs) reveals no significant effect of mechanical stress on the LED performance.
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