原子层沉积
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作者
Jae Chan Park,Chang Ik Choi,Sang‐Gil Lee,Seung Jo Yoo,Ji‐Hyun Lee,Jae Hyuck Jang,Woo‐Hee Kim,Ji‐Hoon Ahn,Jeong Hwan Kim,Tae Joo Park
摘要
A HfO 2 film was grown using discrete feeding ALD, an advanced ALD process designed to improve the surface coverage of the precursor, which decreased the residual impurities in the film and increased the film density.
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