Electronic Structure and Optical Property of 2D MgPX3 (X = S and Se) Monolayer by Density Functional Theory

密度泛函理论 单层 凝聚态物理 材料科学 带隙 直接和间接带隙 准粒子 自旋电子学 半导体 磷烯 电子结构 价(化学) 偶极子 纳米技术 化学 光电子学 计算化学 铁磁性 物理 量子力学 超导电性
作者
Chang-Ju Xu,Hongji Wang,Min Qing,Yong‐Chen Xiong,Shijun Luo,Juntao Yang
出处
期刊:Physica Status Solidi B-basic Solid State Physics [Wiley]
卷期号:261 (3)
标识
DOI:10.1002/pssb.202300448
摘要

2D metal phosphorus trichalcogenides (MgPX 3 ) have attracted tremendous research interests in spintronic, electrocatalytic, and photoelectronic applications due to their unique magnetic and optical properties. Herein, a systematical investigation on the electronic structures and optical properties of 2D MgPX 3 (X = S and Se) monolayers is performed by density functional theory. Owing to small cleavage energy, 2D MgPX 3 monolayers can be obtained by mechanical exfoliation with an excellent structure stability of 2D MgPX 3 monolayers demonstrated by elastic tensor, phonon dispersion, and molecular dynamics, respectively. 2D MgPX 3 behaves as a direct bandgap semiconductor with a strong optical absorption in UV range whereas a weak adsorption near the band edge, demonstrated by both single‐ and quasiparticle approximations. Upon analyses on transition dipole moment along with the wave function symmetry, the weak optical absorption is attributed to the parity‐forbidden effect where the wave functions almost show the same parity between top valence band and bottom conduction band. The findings indicate that 2D MgPX 3 monolayers hold promise as candidate materials for flexible UV photoelectronics devices and provide a theoretical insight into the optical properties of 2D semiconductors.

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