行波
兴奋剂
带宽(计算)
功勋
硅
材料科学
光电子学
p-n结
光学
电信
计算机科学
物理
半导体
数学分析
数学
作者
Abdolkhalegh Mohammadi,Alireza Geravand,Leslie A. Rusch,Wei Shi
标识
DOI:10.1109/ipc57732.2023.10360693
摘要
We experimentally compare several traveling-wave silicon modulator designs in lateral p-n junctions for an ultra-broad bandwidth beyond 67 GHz. We examine the impact of doping profiles on the critical figures of merit.
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