Biaxial strain-induced strong enhancement of upconversion photoluminescence in lanthanide-doped ferroelectric thin films

光致发光 材料科学 光子上转换 兴奋剂 铁电性 薄膜 拉伤 镧系元素 光电子学 纳米技术 离子 化学 医学 内科学 电介质 有机化学
作者
Sisi Li,Haisheng Chen,Ya-Nan Zhao,Zhengwei Chen,Er‐Jia Guo,Zhenping Wu,Yang Zhang,Weihua Tang,Jianhua Hao
出处
期刊:Journal of Physics D [Institute of Physics]
卷期号:52 (23): 234002-234002 被引量:12
标识
DOI:10.1088/1361-6463/ab08d1
摘要

The ability to manipulate and enhance the optical properties in luminescent materials is of great interest for both scientific research and practical applications. Here we present a systematic study of the effect of biaxial strain on the upconversion photoluminescence properties in lanthanide-doped ferroelectric thin films. Through control of the c/a ratios of BaTiO3:Er films, the luminescent intensity of the films can be effectively increased by over seven times. The observed phenomenon can be understood in terms of the variation in crystal field around Er3+ ions induced by biaxial strain due to the lattice mismatch. Moreover, our results have bridged the identifications of lattice distortion and crystalline orientation through the light emission properties of lanthanide dopants. The intriguing interplay will aid further design of favorable lanthanide-doped phosphors via strain engineering.
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