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Colloquium : Physical properties of group-IV monochalcogenide monolayers

铁电性 物理 单层 自旋电子学 多铁性 凝聚态物理 激子 极化(电化学) 拉曼光谱 二次谐波产生 纳米技术 光电子学 铁磁性 光学 材料科学 化学 电介质 物理化学 激光器
作者
Salvador Barraza‐Lopez,Benjamin M. Fregoso,John W. Villanova,S. Parkin,Kai Chang
出处
期刊:Reviews of Modern Physics [American Physical Society]
卷期号:93 (1) 被引量:110
标识
DOI:10.1103/revmodphys.93.011001
摘要

We survey the state-of-the-art knowledge of ferroelectric and ferroelastic group-IV monochalcogenide monolayers. These semiconductors feature remarkable structural and mechanical properties, such as a switchable in-plane spontaneous polarization, soft elastic constants, structural degeneracies, and thermally-driven two-dimensional structural transformations. Additionally, these 2D materials also display selective valley excitations, valley Hall effects, and persistent spin helix behavior. After a description of their Raman spectra, a discussion of optical properties arising from their lack of centrosymmetry---such as an unusually strong second-harmonic intensity, large bulk photovoltaic effects, photostriction, and tunable exciton binding energies---is provided as well. The physical properties observed in these materials originate from (correlate with) their intrinsic and switchable electric polarization, and the physical behavior hereby reviewed could be of use in non-volatile memory, valleytronic, spintronic, and optoelectronic devices: these 2D multiferroics enrich and diversify the 2D materials toolbox.
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