Adjustable Output CMOS Voltage Reference Design

NMOS逻辑 CMOS芯片 电源抑制比 电气工程 电压基准 晶体管 电压 过驱动电压 材料科学 阈值电压 温度系数 二极管 MOSFET 工艺角 补偿(心理学) 电子工程 光电子学 工程类 心理学 放大器 精神分析
作者
Fabián Olivera,Antonio Petraglia
出处
期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems Ii-express Briefs [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:67 (10): 1690-1694 被引量:12
标识
DOI:10.1109/tcsii.2019.2943303
摘要

In this brief, a CMOS voltage reference based on mutual temperature compensation using NMOS transistors of the same threshold type is advanced. The technique consists in subtracting two voltages that present similar complementary-to-absolute-temperature (CTAT) behavior, which are appropriately generated from the same threshold-type NMOS transistors operating as diodes in different inversion levels. The proposed topology provides an adjustable voltage and avoids the use of start-up drivers. The circuit design was carried out in a 180 nm CMOS process. Experimental results verified the effectiveness of the presented technique, and produced a reference voltage of 500 mV. The circuit operates with a supply voltage ranging from 1.2 V to 1.8 V, consumes 4.7 μA at 27 °C, has a temperature coefficient (TC) of 22 ppm/°C from 0 °C to 100 °C, and presents a power supply rejection ratio (PSRR) of -42 dB.

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