Enhancing and Broadening the Photoresponse of Monolayer MoS2 Based on Au Nanoslit Array

材料科学 光探测 光电探测器 二硫化钼 单层 光电流 半导体 光电子学 带隙 光电效应 吸收(声学) 纳米技术 冶金 复合材料
作者
Feiying Sun,Changbin Nie,Jintao Fu,Wen Cheng Xiong,Yizhou Zhi,Xingzhan Wei
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:14 (22): 26245-26254 被引量:7
标识
DOI:10.1021/acsami.2c05038
摘要

Two-dimensional molybdenum disulfide (MoS2), featuring unique optoelectronic properties, has attracted tremendous interest in developing novel photodetection devices. However, the limited light absorption and small carrier transport rate of the monolayer MoS2 result in low photoresponse, and the large band gap limits its detection range in the visible region. In this study, we propose a nanoslit array-MoS2 hybrid device architecture with enhanced and broadened photoresponse. The nanoslit array can localize free-space light to achieve strong interactions with MoS2, and acts as the channel to improve charge transport. As a result, the Au nanoslit array-MoS2 hybrid detector exhibits a nearly 100-fold increase in photocurrent compared to the pure MoS2 device. More importantly, the hybrid device can broaden the photoresponse to the optical communication band of 1550 nm which is lower than the band gap of MoS2, by efficiently utilizing the hot carriers generated by the Au nanoslits. The experimental results are supported by both theoretical analysis and numerical simulation. Since our demonstration leverages the engineering of the hybrid photodetectors with metal nanostructures rather than semiconductor materials, it should be universal and applicable to other devices for broadband, high-efficiency photoelectric conversion.
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