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作者
Jae Chan Park,Chang Ik Choi,Woong Pyo Jeon,Tran Thi Ngoc Van,Woo‐Hee Kim,Ji‐Hoon Ahn,Bonggeun Shong,Tae Joo Park
摘要
We compared the physicochemical and electrical properties of HfO 2 thin films grown at a high temperature of 350 ℃ using tris(dimethylamido)cyclopentadienylhafnium (CpHf(NMe 2 ) 3 ) and a novel Hf precursor, tris(dimethylamido)isopropenylcyclopentadienylhafnium (FuHf(NMe 2 ) 3 ). Experimental...
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