Triple-halide wide-bandgap perovskites tailored via facile organic halide treatment for high-performance perovskite/Cu(In,Ga)Se2 tandem solar cells

卤化物 串联 能量转换效率 钙钛矿(结构) 甲脒 带隙 材料科学 溴化物 结晶度 太阳能电池 光电子学 化学工程 化学 无机化学 有机化学 复合材料 工程类
作者
Huyen Tran,Syed Dildar Haider Naqvi,Kihwan Kim,Ahreum Lee,Sung-Tag Oh,Yasir Siddique,Asmat Ullah,Syed Fawad Ali Shah,Minwoo Park,Sungjun Hong,SeJin Ahn,Jihye Gwak,Inyoung Jeong
出处
期刊:Chemical Engineering Journal [Elsevier]
卷期号:476: 146825-146825 被引量:2
标识
DOI:10.1016/j.cej.2023.146825
摘要

Wide-bandgap (Eg) perovskites (PVSK) are important materials for realizing high-efficiency tandem devices that surpass the efficiency limit of single-junction solar cells. However, they suffer from phase separation and open-circuit voltage (Voc) loss. In this study, a facile fabrication strategy of highly efficient and stable wide-Eg PVSKs through an organic halide surface treatment with formamidinium bromide to CH3NH3PbI3-xClx is demonstrated. The concurrent diffusion of organic cations and halide ions from the surface into bulk PVSK results in the complete conversion of the PVSK crystallinity to a cubic phase, eliminating segregated secondary phases and reducing unreacted PbI2. Br incorporation induces halide redistribution, resulting in formation of triple-halide wide-Eg PVSK. The complete reconstruction of the bulk and surface of PVSK by surface post-treatment suppresses trap-induced nonradiative recombination and decreases the Urbach tail energy. Inverted PVSK solar cells based on the reconstructed PVSK exhibit enhanced photovoltaic performance with a low Voc deficit and high stability. In addition, we demonstrated a four-terminal (4 T) tandem device based on the triple-halide wide-Eg PVSK as a top cell combining with a Cu(In,Ga)Se2 bottom cell, achieving a power conversion efficiency of 24.5 %.
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