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作者
Zhengyang Xue,Yunchao Xu,Chenxing Jin,Yihuan Liang,Zihao Cai,Jia Sun
出处
期刊:Nanoscale
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2023-01-01
卷期号:15 (10): 4653-4668
被引量:19
摘要
This review presents the physical properties of halide perovskites, two types of halide perovskite-based synaptic devices including two-terminal memristors and three-terminal transistors and existing applications of halide perovskite-based synapses.
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