Thin‐Film Electronics: Oxide Thin‐Film Electronics using All‐MXene Electrical Contacts (Adv. Mater. 15/2018)

材料科学 MXenes公司 氧化物 半导体 光电子学 数码产品 电接点 薄膜 晶体管 石墨烯 纳米技术 碳化物 复合材料 电气工程 冶金 工程类 电压
作者
Zhenwei Wang,Hyunho Kim,Husam N. Alshareef
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:30 (15) 被引量:1
标识
DOI:10.1002/adma.201870103
摘要

Two-dimensional metal carbides (MXenes) are successfully integrated into oxide semiconductor electrical switching devices for the first time by Husam N. Alshareef and co-workers in article number 1706656. Both p- and n-type oxide thin-film transistors are fabricated entirely using MXene electrical contacts. The inside front cover shows complementary metal oxide semiconductor inverters using two different semiconductor oxides.

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